Le SiC est le représentant de la troisième génération de matériaux semi-conducteurs, et ses propriétés physiques uniques (telles qu’une résistance élevée à la pénétration, une perméabilité élevée, une résistance aux températures élevées, une résistance aux rayonnements, etc.) ont été obtenues dans le domaine aéronautique, et voici ses principales applications et développements technologiques :
1. Scène de la zone centrale
Assemblage du système d’alimentation aérospatial
Conversion de puissance à haut rendement : dispositif d’efficacité SiC (comme illustré dans la FIG. 2 MOSFET), l’efficacité globale du système d’alimentation – le rapport physique est près de 5 fois plus élevé, le poids du vaisseau spatial est réduit par l’auteur, et la demande de « poids conquérant » est complète.
Résistance aux radiations : Équipement SiC domestique de haute qualité 400 V), À la fin du projet, l’environnement sous vide a été maintenu et établi, et la tâche d’exploration du ciel profond a été réalisée (comme on le voit dans le processus Moonlight, la personne a grimpé sur la Lune).
Simplification de la dissipation thermique : dissipation thermique élevée, faible demande de dissipation thermique, équipement de dissipation thermique réduit et capacité de charge.
Innovation basée sur la recherche
Capacité de détection de la foudre : taux de détection de la foudre à base de SiC 5 à 8 fois supérieur à celui de la détection de densité (GaN), résistance à haute température (200 ℃ (en déplacement), disponible pour l’exploration à très longue distance (distance d’exploration Jong-20 Leiden 1000 km, couvrant l’ensemble du détroit de Hashi).
Suivi multi-cibles : la vitesse de formation des paquets d’ondes est de 30 %, des traits continus peuvent être dessinés sur plus de 20 cibles et la capacité de détecter les conditions du terrain est améliorée.
2. Caractéristiques d’excellence technique
Ci-dessous les performances du SiC en aéronautique :
Indicateurs de performance Équipement SiC Résultats techniques
Taux de réussite-rapport corps Élevé Faible Proportion proche de 5 fois 10
Température de fonctionnement : 200℃ résistance à haute température, basse température générale 150℃, amélioration de la stabilité à haute température
Forte capacité à résister aux radiations (dans tout le ciel) Faible capacité à répondre à l’environnement du ciel profond
Efficacité de conversion énergétique >95% 80–90% Consommation d’énergie réduite, temps de travail prolongé 3. Défi futur
Direction de l’expansion :
Modèle de source d’énergie électrique de 1000 tuiles : prenant en charge la demande de taux de réussite élevé des engins spatiaux (comme dans le système énergétique de la station aérienne).
Fusion multi-zones : intégration de l’installation de la foudre SiC et du numéro de machine de sécurité, construction d’un système intégré « back-up-down »
Défi actuel :
Taux de sortie du cristal : la capacité actuelle est de 0,5 mètre carré par mètre carré, stabilité à long terme.
Limites technologiques : distance d’exploration, forte baisse, réduction du contrôle de la courbure de la terre, demande de méthode d’ajout de matériaux révolutionnaires.
Conclusion
Le cœur du domaine aéronautique du silicium cimenté est « quantité, haute efficacité, haute disponibilité » :
Source d’énergie aérospatiale : équipement d’exploration en haute mer, lanceur de descente ;
Foudre militaire : avions puissants, avions super-observables, avions lourds ;
Percée de la nationalisation : point culminant du système semi-leader de troisième génération de la Chine, avec la capacité de développer et d’améliorer ses capacités.
À l’avenir, nous maintiendrons la demande d’ingénierie matérielle améliorée, approfondirons la systématisation et augmenterons la demande en matière de défense militaire.